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集成MOSFET及二极管的半导体装置

900   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:26:42
本发明公开了一种集成MOSFET及二极管的半导体装置,包括基底,基底的上端设置有漂移层,漂移层的上端设置有支撑层,支撑层的上端设置有导电部,导电部的右侧设置有连通部,连通部的右侧设置有出电部。本发明通过通过两个接触层传导电压,即使当其中一个接触层长期使用后失效,也可以通过另一个接触层进行电压传导,导电陶瓷材质的陶瓷导电板在起到了导电效果的同时,保证了较好的结构刚性,当通过较强的电压时,不会被高电压击穿,起到了保护效果,圆板内部的镍锰酸锂是一种高抗压材料,当通过高电压的时候,不会将第一导电管和第二导电管损坏,延长了第一导电管与第二导电管的使用寿命。
声明:
“集成MOSFET及二极管的半导体装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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