本发明涉及一种半导体氮化碳薄膜的制备及转移方法,以三聚氰胺作为前驱体,通过化学气相沉积工艺,在多种基底材料表面制备半导体氮化碳薄膜或氮化碳/碳复合薄膜,其制备工艺简单,原料成本低,制备的氮化碳薄膜容易转移到任意基底材料表面;所制备的薄膜连续性好,厚度均匀,在光电探测器中显示出极快的响应速度,在电催化析氢反应中显示出较高催化活性;此外,这种氮化碳薄膜可用于构建柔性半导体器件(如发光二极管,
太阳能电池),
储能器件(如锂离子电池,
钠离子电池,燃料电池)和催化电极等。
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