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SnO2@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法和应用

743   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:26:04
本发明涉及SnO2@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法,其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆,所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度为0.8~1.5μm,其采用下述方法制得,包括有以下步骤:1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中,混合搅拌30min;2)以已经生长SnO2纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂电极为对电极进行电沉积2000s,电流密度1.6mA/cm2,洗涤即得。本发明的有益效果是:采用电化学沉积的方法将PPy生长在SnO2纳米棒的表面,这样可以起到缓冲层的作用,不仅提高了材料电导率,改善了电极材料的循环稳定性。
声明:
“SnO2@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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