本发明涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明采用双温区真空管式炉,以硫粉为蒸发源,在真空环境中、在载气保护下,通过低温热蒸发的方法,在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构,包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点,且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、
太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。
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