本发明公开了一种LED
芯片光刻显影方法,包括:对LED芯片做表面清洗;采用等离子增强化学气相沉积方法,在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜;在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶;通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理;使用显影液对光刻胶做显影处理,显影时间为60秒,显影温度为20℃~40℃,显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水,强碱质量占比0.5%~5%,弱碱质量占比1%~10%,纯水质量占比85%~98.5%,强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种,所述弱碱为氨水或者
氢氧化铝;刻蚀暴露的二氧化硅薄膜,将光罩上的图形转移到LED芯片表面。
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