本发明公开了一种暴露高能(111)晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法,采用简单的溶剂热法,制备出暴露高能(111)晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线,Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长,纳米线的直径为142nm~1.1μm、长度为5.4~102μm。本发明操作简单,成本低,重复性和一致性好,所制备的暴露高能(111)晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、
太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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