本发明提供了一种晶体材料及其制造方法,该材 料能大量荷载摩尔比大于3的客体,并显示吉布斯自 由能函数与客体浓度无关。该晶体材料属MeyChx 类,其中Me选自Bi和Sb,Ch选自Te、Se和S,Y 为1或2,Z在1至3的范围内,故此该材料的缺陷 密度低得足以允许在范德瓦耳斯沟槽内,每摩尔所述 材料至少层夹3摩尔锂,而并无明显晶格畸变。本发 明可提供一种客体荷载高达10摩尔/摩尔主体的 层夹材料。
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