本发明公开了一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法,可以解决现有技术中TaON无法制备为取向结构,以及无法获得自支撑薄膜的技术问题,而这些问题抑制了TaON的利用。其技术方案为:将钽酸锂单晶晶片在四氯化碳和氨气的混合气氛下进行煅烧后,即可获得内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜。本发明的制备方法和实验步骤简单,一步制备[100]取向的TaON自支撑薄膜,可大量制备,本发明制备的薄膜除了具有高的晶体取向结构外,还具有有序的纳米棒状结构。
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