本发明公开了一种氮化硼纳米片连续薄膜、其制备方法与应用。所述制备方法包括:在基底上覆设前驱物薄膜,之后在含氮反应气氛高温反应,制得所述氮化硼纳米片连续薄膜;所述前驱物薄膜包括至少三种元素,其中的两种元素分别为硼、氧元素,其余元素选自锂、铍、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟、锌、钛和硅中的任意一种或多种的组合。本发明的制备方法可以直接在Si等基底上合成氮化硼连续纳米片(即氮化硼纳米片连续薄膜),无需金属催化剂的参与,也无需任何转移工序,工艺简单可控,成本低廉,并且所获的氮化硼纳米片连续薄膜可直接作为
石墨烯等二维
纳米材料的生长基底,进而利于构建石墨烯器件的衬底和/或栅极等,具有巨大的应用前景,能实现批量生产。
声明:
“氮化硼纳米片连续薄膜、其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)