本发明涉及声学滤波器技术领域,特别涉及一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法。该异质单晶薄膜的制备方法包括以下步骤:提供异质薄膜结构;该异质薄膜结构包括压电薄膜;对该异质薄膜结构进行后退火处理;该后退火温度范围为300‑800摄氏度;该后退火的氛围内含有与该压电薄膜对应的元素材料。从而能够在实现提高键合强度,恢复晶格缺陷的同时,还能够有效抑制压电薄膜中锂元素和氧元素等的外释问题,提高异质单晶薄膜的质量。
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