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低膨胀的硅基负极材料及其制备方法和应用

716   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:23:41
本发明公开了一种低膨胀的硅基负极材料及其制备方法和应用,包括:氧化亚硅基体、以及均匀分散在氧化亚硅基体中的三维枝状的气相二氧化硅;三维枝状的气相二氧化硅的质量占氧化亚硅基体的质量的百分比为0.1%‑10%;三维枝状的气相二氧化硅的链状聚集体的尺寸在100nm‑500nm之间;生成三维枝状的气相二氧化硅的原生粒子的粒径在7nm‑40nm之间;本发明的硅基负极材料,由于三维枝状的气相二氧化硅构成的网络结构具有高强度和高韧性,在脱嵌锂的过程中可以分散氧化亚硅体积膨胀收缩的应力,降低材料的膨胀率,提高材料的循环性能。
声明:
“低膨胀的硅基负极材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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