本发明涉及一种快速生长SnO
2纳米片的方法,包括以下步骤:S1)、生长溶液的制备,S2)、SnO
2纳米片的生长,将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中,在160‑250℃下保温0.5‑4h;S3)、样品清洗,采用去离子水超声波清洗样品3‑5次,去除残留的试剂;本发明生长周期短,且纳米片的均一性好,可以提升SnO
2纳米材料的灵敏度;制备工艺简单,制备成本低,且性能稳定,并且制备的SnO
2纳米片具有较好的光催化降解功能;本发明制备SnO
2纳米片分布较为规则,有利益增大纳米材料的比表面积;本发明制备SnO
2纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。
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