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快速生长SnO2纳米片的方法

777   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:22:08
本发明涉及一种快速生长SnO2纳米片的方法,包括以下步骤:S1)、生长溶液的制备,S2)、SnO2纳米片的生长,将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中,在160‑250℃下保温0.5‑4h;S3)、样品清洗,采用去离子水超声波清洗样品3‑5次,去除残留的试剂;本发明生长周期短,且纳米片的均一性好,可以提升SnO2纳米材料的灵敏度;制备工艺简单,制备成本低,且性能稳定,并且制备的SnO2纳米片具有较好的光催化降解功能;本发明制备SnO2纳米片分布较为规则,有利益增大纳米材料的比表面积;本发明制备SnO2纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。
声明:
“快速生长SnO2纳米片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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