本发明公开一种大尺寸LiTaO3晶体的全自动控制晶体生长方法,包括以下步骤:S1:制备原料;S2:搭建温场;S3:充保护气体;S4:控制晶体生长及降温过程:按照6~30rpm的转速旋转钽酸锂籽晶,当晶体直径d生长至D的40%时,在旋转晶体的同时,以0.2~4mm/h的拉速向上提拉,当晶体直径生长至90%时,利用PID算法自动调控温场系统的加热功率,在60~120h内降至室温;S5:多线定向切割。本发明采用两步法完成等径生长,在放肩阶段前段,仅进行晶体横向生长,并通过PID算法主动完成降温过程,使晶体成品率≥90%,确保批量生长晶体的均匀性,具有晶体生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点,适合大规模工业化生产。
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