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超薄晶圆平坦化加工夹持的方法

806   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:22:07
本发明公开了一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法,包括如下步骤:首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面,真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔,在真空吸盘的顶部设置真空系统,真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。本发明较传统的吸附垫夹持方式,可以大幅增加加工压力,提升抛光效率,并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到<200um的工艺水准,本发明可以将晶片薄化到<50um,且保证表面平坦度可达5mm2<0.5um,PLTV>95%的水准,解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3;LT)晶片厚度<200um,且平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%稳定产品品质要求的问题。
声明:
“超薄晶圆平坦化加工夹持的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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