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部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法

864   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:22:05
一种部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法,其特征为:化学计量式为K2O·4Si1‑xBxO2‑0.5x,其中:x=0.01‑0.10;采用无规K2O·4SiO2结构,使得钾离子在体系中各向同性传导;通过B3+掺杂获得部分氧空位,为钾离子传导提供新的传导路径,进一步降低了钾离子传导活化能,提升了钾离子活动能力及电导率,使得该钾快离子导体的常温锂离子电导率超过4·10‑4S/cm,使其能作为性能优异的钾快离子导体使用;同时通过高压条件的反应,抑制反应物的不均匀挥发从而导致产物的组分偏离。
声明:
“部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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