本发明公开了一种缺陷态
石墨烯包覆高镍
正极材料的制备方法,属于电池制备技术领域。本发明以
硫酸镍作为镍源、硫酸钴作为钴源和硫酸锰作为锰源,通过共沉淀法得到[Ni
0.893Co
0.054Mn
0.053](OH)
2前驱体;然后将前驱体与氢氧化锂、
氢氧化铝混合高温煅烧得到高镍材料Li[Ni
0.886Co
0.049Mn
0.050Al
0.015]O
2;最后将高镍材料与缺陷态石墨烯混合,即得到缺陷态石墨烯包覆的高镍正极材料。本技术方案可以改善高镍正极材料电导率低的缺点,可以有效的抑制高镍正极材料与电解液接触而发生的副反应。
声明:
“缺陷态石墨烯包覆高镍正极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)