本发明涉及一种制备Si定点取代非晶纳米线阵列的方法,(1)将醋酸锌、氧化锗加入到水和乙二胺的混合溶剂中;(2)将步骤(1)得到的混合物经磁力搅拌得到均匀溶液;(3)将单晶Si片进行预处理,然后洗涤、干燥;(4)在步骤(2)得到的均匀溶液中加入预处理好的单晶Si片,然后进行水热反应;(5)将反应产物冷却,洗涤、干燥,在Si片上得到最终产物。与现有技术相比,本发明制备方法新颖,重复性好,产品性质稳定,具有更高的比表面积、表面活性和光利用效率,可广泛应用于光电器件、
太阳能电池、锂离子电池和超级电容器等诸多
储能领域。
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