一种制造合成CVD金刚石材料的方法,所述方法包括:设置微波等离子体反应器,所述微波等离子体反应器包括:等离子体腔;一个或多个基底,所述一个或多个基底设置在所述等离子体腔中,在使用时提供所述合成CVD金刚石材料在其上沉积的生长表面区域;微波联接结构,所述微波联接结构用于将微波从微波发生器进给到所述等离子体腔内;以及气体流动系统,所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除;将工艺气体注入到所述等离子体腔内;通过所述微波联接结构将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内以在所述生长表面区域上形成等离子体;以及在所述生长表面区域上生长合成CVD金刚石材料,其中,所述工艺气体包括从硼、硅、硫、磷、锂、和铍中的一种或多种选取的呈气体形式的以等于或大于0.01ppm的浓度存在的至少一种掺杂剂和/或以等于或大于0.3ppm的浓度存在的氮,其中,所述气体流动系统包括气体入口,所述气体入口包括与所述生长表面区域相对设置且配置为将工艺气体朝向所述生长表面区域注入的一个或多个气体入口喷嘴,以及其中,所述工艺气体以等于或大于500标准cm3/min的总气体流速朝向所述生长表面区域注入,和/或其中所述工艺气体以范围为从1至100的雷诺数通过所述气体入口喷嘴或每个气体入口喷嘴注入到所述等离子体腔内。
声明:
“控制合成金刚石材料的掺杂” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)