本发明提出了电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。电子传输层材料,包括:掺杂有掺杂元素的金属氧化物,其中,掺杂元素包括Li和F。通过在金属氧化物中进行锂元素和氟元素的掺杂,有效降低了电子传输层的电子迁移速率,使得发光层中的电子和空穴数量更趋于平衡,从而有利于提高QLED器件的发光效率。
声明:
“电子传输层材料、QLED器件及其制备方法和显示装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)