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中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法

1061   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 00:18:35
一种中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法，它涉及中远红外激光材料制备技术。它是要解决现有技术中8～10μm的远红外波段缺乏合适的频率转换材料的技术问题，本方法如下：单质硒放置于石英管底部，镓、锗和锂放置于圆底PBN坩埚中，并将坩埚放入石英管中，石英管经抽真空、熔封后放入倾斜旋转电阻炉中。电阻炉经加热、保温、降温、冷却熔融，获得LiGaGe2Se6多晶原料。再采用水冷式垂直三温区单晶生长炉，利用LiGaGe2Se6多晶原料生长LiGaGe2Se6单晶，生长过程中加入适量抑制剂抑制LiGaGe2Se6的分解，本发明的LiGaGe2Se6晶体可用于中、远红外激光领域。
声明：
“中远红外晶体LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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