本发明涉及一种生长LBO(LiB3O5,三硼酸锂)晶体的新工艺技术。尤其是能够生长大尺寸高质量LBO单晶的技术。为了克服LBO晶体在生长过程中溶质较难输运的问题,本发明提供了一种特殊的溶液强制对流工艺,并改进溶剂成份,有效地解决了溶质输运困难的问题。本发明在晶体生长的溶液中增加6搅拌叶片,如图所示,6搅拌叶片随着晶体的转动而转动,带动整个溶液的流动,从而加快溶质的输运。本发明在溶液中除加入B2O3作为熔剂外,还加入大量的LiF作为助熔剂。由于F-具有断键作用,它可以有效地破坏硼氧网络结构,极大地降低了溶液的粘滞度,让晶体在生长过程中能迅速而有效地进行排杂,极大减少了缺陷的形成。
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