本发明涉及一种Cs2AgxLi1‑xInCl6:Bi双
钙钛矿量子点及其制备方法,该双钙钛矿量子点采用以下制备方法制备得到:(1)取铯源、银源、锂源、铟源和铋源分散于二甲基亚砜中,经反应得到前驱体溶液;(2)将所得前驱体溶液喷涂在玻璃片上,经加热得到目的产物。本发明通过掺杂Li+离子和Bi3+离子提高量子点产物的量子效率,同时补偿其晶体缺陷,利用杂化后晶格结构扭曲以及能带发生改变来控制电子跃迁,从而使量子点发光强度增大,稳定性增强。与现有技术相比,本发明双钙钛矿量子点量子效率较高,制备方法较简单,无需高温、惰性气体保护、真空等条件,在制备过程中可以通过调节x的数值比例来改变禁带宽度从而调节波长,且本发明制备方法对量子点掺杂适用性广。
声明:
“Cs2AgxLi1-xInCl6:Bi双钙钛矿量子点及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)