本发明属于锂离子
电池材料的技术领域,涉及一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳,所述空心碳部分石墨化,所述硅纳米层由硅高温气化均匀涂覆在空心碳的内壁,所述空心碳的高温石墨化和硅的高温气化同步进行;本发明还提供了其制备方法,(1)将微米级或亚微米级硅颗粒的外表面包覆可转化为碳的材料,高温处理形成碳包覆,再对内部的硅颗粒进行化学刻蚀,形成碳包覆于硅的
复合材料;(2)在2100‑3200摄氏度的条件下使包覆于碳内的硅气化,使硅蒸汽涂覆于空心碳内壁形成硅纳米层,同步使包覆的碳部分石墨化。本发明提供的内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳,满足工业化应用的四个条件,首次放电比容量高,首次库伦效率高,循环性能高以及工业化成本低。
声明:
“内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)