本发明公开了一种高消光比电光调制器,包括铌酸锂基片、U型槽光纤固定装置、输入输出光纤以及级联M‑Z干涉仪结构;级联M‑Z干涉仪结构包括级联M‑Z干涉光波导、直波导、分离的行波电极和偏置电极;其中输入光纤和输出光纤均为熊猫型保偏光纤;U型槽光纤固定装置固定输入光纤和输出光纤,使光纤与波导耦合对接;每一级M‑Z干涉仪的分束耦合区采用Y分支波导结构,在两级M‑Z干涉仪之间加入直波导;在M‑Z干涉仪波导两侧制作共面金属行波电极,设置分离的偏置电极。本发明大大提高了器件的消光比,为激光雷达和光纤传感中高消光比光脉冲产生技术提供了低成本、集成化外调制器件。
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