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SnO2纳米线阵列的制备方法

864   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:17:43
本发明公开了一种SnO2纳米线阵列的制备方法,包括以ITO玻璃为衬底,采用水热法进行SnO2纳米线阵列生长,所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的长径比为4~12,所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的直径为50~100nm,SnO2纳米线的长度为400~600nm。本发明所得的SnO2纳米线阵列结构是由金红石结构的SnO2单晶纳米棒构成,从微观结构上看,SnO2纳米线阵列排列致密,均一性好,可以用作场发射、光催化、气敏传感器和锂离子电池负极材料
声明:
“SnO2纳米线阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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