本发明公开了一种SnO2纳米线阵列的制备方法,包括以ITO玻璃为衬底,采用水热法进行SnO2纳米线阵列生长,所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的长径比为4~12,所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的直径为50~100nm,SnO2纳米线的长度为400~600nm。本发明所得的SnO2纳米线阵列结构是由金红石结构的SnO2单晶纳米棒构成,从微观结构上看,SnO2纳米线阵列排列致密,均一性好,可以用作场发射、光催化、气敏传感器和锂离子电池
负极材料。
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