本发明公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法,属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成,自下而上,柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微米量级;柱状晶粒内存在纳米尺度的孪晶片层,晶粒的取向由随机取向变为强(111)织构。纳米孪晶铜箔的厚度为6微米时,其抗拉强度高于500MPa,同时具有较高的稳定性和导电性,在锂离子电池和电路板领域具有较好的应用前景。
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