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PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法

799   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:16:25
本发明公开了一种PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法,包括以下重量份数的原料:四氧化三铅100份、二氧化锆26‑28份、二氧化钛15‑17份、五氧化二铌2.0‑4.0份、碳酸锂0.1‑0.2份。经LiNb03合成、混料、预烧、造粒、成型及排塑、烧结、上电极、极化、测量制备而成。通过在PZT中引入高居里温度LiNb03组分,进一步提高了PZT基压电陶瓷的居里温度Tc,拓展了压电陶瓷在极端环境下的应用。
声明:
“PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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