本发明所提供的一种有序介孔硅碳负极的制备方法,包含有序介孔硅材料和该介孔硅材料的孔道内的碳涂层,并且该孔道的孔径为2‑10nm;其中,采用不同的表面活性剂分子合成不同孔径的SiO2;在650℃的氮气氛围下,用MgO做缓和剂,Mg热还原后盐酸刻蚀得到介孔硅材料;酚类碳源脱水负载于孔道,再经高温碳化形成碳负载的介孔硅材料。本发明中,有序的介孔结构可以为硅的体积膨胀提供了缓冲空间;孔道内碳层提高了硅与锂之间的电荷传递反应,因而可以提高整体材料的导电性。
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