本发明属于无机
纳米材料技术领域,公开了一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶液相前驱体滴涂‑空气中煅烧的方法,可以在透明电极上制备得到单斜相二氧化钒纳米线;该纳米线微形貌分明,与电极结合力强,在一般非破坏性后续加工过程中都不会脱落;纳米线结晶度高,在电极表面分布均匀。而且该方法在空气气氛中常压进行,制备工艺简单,便捷,生产成本低,反应条件温和且易于控制。所制备的单斜相二氧化钒为纳米线一维结构,该类结构广泛存在的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和界面效应等特性,使得它可应用于光电开关、热敏电阻、光信息储存、锂离子电池等领域。
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“单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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