一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法,涉及用于制造印刷电路板和锂离子电池的超薄铜箔领域。通过在铜表面电沉积一层离散的Cr晶核用于铜箔的自剥离,离散的Cr晶核有效地降低铜箔与铜表面的结合力,实现铜箔的自剥离;在此剥离层上沉积的铜箔,厚度为1~4μm。利用三价Cr盐沉积金属离散晶核,避免六价铬的毒性,更环保。利用离散核实施自剥离,减少铜箔在存放时金属和Cu的扩散。在生产中能够方便地利用电源调节沉积参数,Cr晶核沉积只需几秒时间,沉积的剥离层分布均匀,方法简单,易于实施。
声明:
“利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)