本发明涉及一种聚噻吩包覆的单晶NCM三元材料,属于化学
储能电池领域。首先将噻吩单体分散在有机溶剂中,随后加入单晶NCM三元材料进行分散,再在悬浊液中加入氧化剂于冰水浴环境中进行氧化,最终制备得到一种聚噻吩包覆的单晶NCM三元材料。聚噻吩具有导电聚合物特性,聚噻吩包覆在单晶NCM三元材料表面,能够降低较长迁移路径下的锂离子扩散阻碍,进而增强单晶NCM材料的电子导电性,从而加快材料表面的
电化学反应过程以及电荷传输,降低材料在充放电循环过程中的极化现象和电压降,提高材料的循环稳定性。此外聚噻吩包覆层也能够隔绝电解液和单晶NCM材料的接触,降低界面副反应。
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“聚噻吩包覆的单晶NCM三元材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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