一种非极性面InN材料的生长方法,利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长 系统,在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN 材料,所述m面是非极性面的一种,高In组分指InxGa1-xN材料中In组分x大于0.3。 本发明利用MOCVD生长系统,采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底 进行处理以及利用低温缓冲层,合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料, 通过选择合适的衬底,在MOCVD系统下,选择适当的生长的技术条件,并利用缓冲 层的设计,生产得到非极性面InN材料。
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