公开的是一种处理基材的方法。该表面与包含锂阳离子的密封组合物接触;和任选地与包含镧系元素、第IIIB族和/或第IVB族金属的阳离子的转化组合物接触。施涂该转化组合物来在基材表面上提供膜,这导致其上的镧系元素、第IIIB族金属和/或第IV族金属的水平比其上不具有所述膜的基材表面大了至少100个数,其是通过X射线荧光测量的(使用X‑Met7500,Oxford Instruments测量;对于镧系元素、第IIIB族金属和第IVB族金属(除了锆),运行参数60秒逐时分析,15Kv,45μA,滤波器3,T(p)=1.5μs;对于锆,运行参数60秒逐时分析,40Kv,10μA,滤波器4,T(p)=1.5μs)。还公开了通过该方法可以获得的基材。
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