本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法,属于锂离子电池
负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅,焦耳热具有快速升温,快速加热的优点,并且能够保证加热的均一性,因此,本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后,将所述第一粗硅升温至1100~1300℃进行第二保温,可以实现副产物硅化镁分解,实现粗硅的第一次提纯,然后升温至1500~2000℃可以实现镁的快速蒸发,实现二次提纯,因此,本发明制备的单质硅具有较高的纯度,不存在后处理不安全的问题。
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