本发明公开了一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,该方法基于碱金属和碱土金属的强还原性,通过在室温下球磨实现四卤化硅的快速高效还原。该方法极其简单高效,不需要使用任何溶剂和其它反应介质,且可以在室温下大量合成纳米硅,具有原料廉价易得,反应简单快捷,产率高,成本低,容易扩大生产等优势。所制备出的纳米硅纯度高,尺寸小,可调控,且分布均匀,可用于锂离子电池
负极材料,
太阳能电池,传感器,光学器件等各个方面,极具工业化应用前景。
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