本发明涉及晶体制备技术领域,具体涉及一种硼11‑LBO晶体的生长方法及应用,包括以
碳酸锂、硼‑11酸为原料,以三氧化钼、三氧化钨为助熔剂,将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中,升温至第一温度化料,降温至第二温度后向熔体中下入籽晶,晶体开始生长,继续降温至晶体生长结束,将晶体提离液面降温至室温即得。本发明采用氧化钼‑氧化钨作为助熔剂,得到的熔体粘度小,便于物料流动和传质,生长制得高质量的硼11‑LBO晶体且不易开裂;本发明制得高质量硼11‑LBO晶体,可以作为中子探测用晶体材料,解决目前中子散射探测器的需求。
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