本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法,该方法将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300~600℃的温度区间内热解,使光纤表面形成均匀厚度的碳膜;再将光纤在氮气条件下以1100~1600℃的温度区间高温加热,使碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅,然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜;将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管。该氮化硅微米管与炭黑进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,然后在其中加入热熔型粘结剂形成混合物,再均匀涂在洗净的铜箔表面,可得到氮化硅微米管组成的硅
负极材料。本发明制造的氮化硅微米管结构可用于制备
锂电池的电极材料。本发明方法工艺流程简单,可控性强,成本比较低。
声明:
“氮化硅微米管制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)