本发明公开的Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲 激光沉积法,首先将纯氧化锌、
碳酸锂和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型,烧 结,制得掺Li2O和Na2O的ZnO靶材;然后在脉冲激光沉积装置的生长室中, 以掺Li2O和Na2O的ZnO为靶材,以O2为生长气氛,控制O2压强5-30pa, 激光频率为1-5Hz,生长温度为300℃-600℃,在衬底生长p型ZnO晶体薄 膜。本发明方法可以实现实时掺杂;掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中 Li和Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良 好的电学性能,重复性和稳定性。
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