本发明公开了一种InSb多晶薄膜
负极材料的制备方法及其应用,所述InSb多晶薄膜负极材料为闪锌矿结构的InSb晶体。本发明通过磁控溅射沉积的方式制备了InSb薄膜负极,该材料在充放电循环过程中始终保留整体闪锌矿结构(),并且仅存在极小的体积变化,因此能够在拥有较高容量的情况下稳定循环。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在30℃条件下首次充电容量为561.8mAh/g,在800次循环后仍有534.6mAh/g的容量,容量保持率高达95.2%。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在‑50℃条件下首次充电比容量为511.9mAh/g,在250次充放电循环后仍有348.3mAh/g的容量,容量保持率为68.1%。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在低温下仍具有快速脱嵌锂的特性。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料具有高容量,高倍率,高稳定性,高耐热冲击性的优势。
声明:
“InSb多晶薄膜负极材料的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)