本发明涉及
半导体材料V
2O
5@Ag、V
2O
5@Cu的制备及应用,包括:将
纳米材料V
2O
5在超声条件下分散于含有M离子及化合物的溶液中,使纳米V
2O
5均匀分散,然后在搅拌下陈化一段时间,使纳米V
2O
5对M离子及化合物的吸附达到饱和;将上述溶液离心分离,将沉淀即吸附了M离子及化合物的纳米V
2O
5漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中,充分反应,然后分离、漂洗、干燥,即得V
2O
5@M纳米半导体
复合材料。该方法操作简单,时间短,成本低,环境友好,重复性好,效率高,能快速有效的制备纳米半导体复合材料,具有普适性和规模生产价值。本发明制备的纳米半导体复合材料V
2O
5@Ag、V
2O
5@Cu提高了锂离子电池
正极材料电化学性能,在电化学等领域具有广阔的应用前景。
声明:
“半导体材料V2O5@Ag、V2O5@Cu的制备及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)