本发明公开了一种暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法,该方法是采用简单的水热法,以乙醇胺与蒸馏水的混合液为溶剂,将Se粉和KBH4、处理好的铜片水热反应后在惰性气体保护下煅烧,即可在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线,其直径为0.23~2.14μm、长度17~420μm。本发明操作简单,成本低,重复性和一致性好,所制备的暴露{111}晶面立方结构Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线可望在光催化、
太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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