本发明属于MXene膜的技术领域,公开了一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法。方法:(1)将MAX粉末在盐酸与氟化锂的作用下进行刻蚀,离心,洗涤,干燥,超声分散,获得MXene纳米片溶液;(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积,取出,进行冷冻处理,干燥,获得具有垂直孔道结构的MXene膜;电泳沉积的条件:电压为1‑36V,时间为10s‑30min;所述冷冻处理的温度为‑196℃~‑100℃。本发明的方法简单,绿色环保,所制备的膜为具有垂直孔道结构,能够加快分子的穿膜速率;本发明的膜在
储能、催化、光电材料、生物药物、电磁屏蔽、吸波材料等领域具有广泛的应用前景。
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“具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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