本发明公开了一种防静电瓷砖及其制备方法,其由以下重量份的原料制成:重晶石25‑35、白榴石20‑33、锆英砂10‑15,微硅粉24‑36、二氧化锡10‑20、三氧化二锑1‑7、碳化硅5‑6、复合粘土14‑16、氟化锂4‑6、石膏纤维4‑8、甲酸钙2‑4、椰油酸单乙醇酰胺2‑3、二甘醇2‑2.5、聚苯乙烯磺酸钠2‑3。本发明中配方中的添加了导电料二氧化锡、三氧化二锑、碳化硅,利用了二氧化锡、三氧化二锑、碳化硅,其中,二氧化锡、三氧化二锑这两种半导体氧化物具有导电性能,碳化硅也具有半导体电性,经过高温烧制成了具有抗静电性能的瓷砖,它的生产方法简单,成本低,有利于工业化生产。
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