本发明涉及
电化学材料技术领域,具体涉及一种氧掺杂的氮化钽(TaN)纳米片及其应用。其中氧掺杂的TaN纳米片的制备方法包括以下步骤:以TaN为原料制备出TaN纳米片;将TaN纳米片置于碱性溶液中刻蚀,得到氧掺杂的TaN纳米片。与块体TaN相比,本发明提供的氧掺杂的TaN纳米片对多硫化物有更强的吸附能力,材料中的Ta能与多硫化物中的S通过Ta−S键发生强化学相互作用,在材料掺氧的情况下,表现出极强的Li2S6吸附性。将其用于锂硫电池正极可以显著改善电池性能。
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“氧掺杂的TaN纳米片及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)