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以石墨烯为模板熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法

936   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:05:13
本发明涉及一种以石墨烯为模板低温熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法。该方法以Si粉为原料,以石墨烯为模板,以NaCl和NaF混合物为熔盐介质,在一定的气氛和1050℃~1200℃低温条件下通过熔盐法进行合成,随后用水对含有熔盐的产物分别进行溶解、离心、过滤等反复操作3‑6次,将残存的熔盐去除,干燥后即可得到本发明所述的二维SiC超薄纳米结构半导体材料。制备n型SiC二维超薄纳米结构材料时,选择在N2气氛下控制工艺对合成SiC进行掺N;制备p型SiC二维超薄纳米结构材料时,选择在Ar气氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作为掺杂剂。本发明制备的二维SiC纳米结构可用于在高温、高辐射、强腐蚀性等恶劣环境的高频和高功率微电子器件及锂离子电池负极材料
声明:
“以石墨烯为模板熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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