本发明公开了一种微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法,该方法采用商品氧化亚锡作为前驱物,硅片作为基底,使用气相沉积法成功得到了微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜材料。对于氧化亚锡薄膜的制备,该方法所需原料简单易获取,成本较低且无废弃物产生。制备工艺操作简单,不受环境因素限制。氧化亚锡由于其特殊的光学和电学性能,使得其在光电领域的应用非常广,因此被广泛用于催化剂、还原剂、薄膜晶体管、
锂电池电极及超大容量储器等领域。本发明创新了氧化亚锡薄膜制备的研究思路,为氧化亚锡薄膜的光电性能研究奠定基础。
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