一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构 和制作方法包括 : 一氧化埋层上覆盖有硅表层且在硅基底之上 多个场氧化区域, 形成并延伸过该基底的硅表层, 且与该硅氧化 埋层接触; 多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源/漏极区; 一渠 沟, 开放并穿过转换场效应晶体管的源/漏极区间; 沉积一
多晶硅 层以排列渠沟, 并对该多晶硅层构图以形成至少部分存储电容 器的低电极; 多个低电容电极, 覆盖着一薄介电层; 一掺杂多晶硅 的高电容电极。
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