本发明属于纳米
复合材料领域,公开了一种g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料及其制备方法。主要是以片层结构的g?C3N4为基体,钼酸铵或钼酸钠为钼源,七水硫酸锌为锌源,盐酸羟胺为还原剂,硫脲或硫代乙酰胺为硫源,通过水热法制备g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料。本发明制备g?C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料的方法简单易操作,成本低廉,反应条件温和,重现性好,粒径均匀,并在摩擦学、催化、锂电等领域中具有重要的应用,有望用于大规模的工业生产。
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“g-C3N4/MoS2/ZnS纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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