本发明公开了一种氮掺杂碳复合电极及其制备方法,所述复合电极在铜集流体上形成氮掺杂碳阵列,氮掺杂碳阵列包括89~93wt%C,7~11wt%N。所述制法包括以下步骤:步骤一,将铜集流体切片,用稀酸溶液浸泡,再用去离子水清洗,在保护气氛一下晾干,得到极片;步骤二,将极片浸泡到TCNQ的乙腈溶液中,铜集流体表面生成CuTCNQ阵列,捞出洗涤晾干;步骤三,在保护气氛二下,升温到碳化温度,保温,冷却至室温后取出,得到氮掺杂碳复合电极。本发明利用氮掺杂碳为活性物质,带来更多的活性位点,具有更好的储锂性能;无需经分离提纯、搅浆、涂布、烘干等工序,操作便捷,节约时间、节约人力物力。
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