本发明公开了一种LED用高导热率氮化硅‑氮化铝复相陶瓷基板,包括如下重量份原料:氮化硅80‑120份;氮化铝80‑120份;添加剂2‑10份;所述添加剂由如下重量份物质组成:氟化镁1‑3份;氟化钇1‑3份;
碳酸锂1‑3份;最佳陶瓷基板的物化性能为,导热率为330W/(m·k),弯曲强度为950Mpa,维氏硬度为20GPa。
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